ETO Markets 市场洞察｜AI 内存超级周期驱动，三星 Q1 净利大增逾 7 倍

4 月 7 日，三星电子公布 2026 年第一季度业绩预告，大超市场预期。

三星一季度营收高达 133 兆韩元

数据显示，公司预计一季度合并营收约 133 兆韩元，营业利润约为 57.2 兆韩元，以上两项双双创下历史新高。其中，营业利润较上年同期大增约 755%。三星将在本月稍晚公布包含净利润及各业务部门明细在内的完整财报。

三星本次业绩预告大超市场预期。根据路透调查，分析师对三星一季度营业利润的普遍预期约为 40.5 兆韩元，而实际预告值达到 57.2 兆韩元；营收方面，市场原本预期大致在 116.8 兆韩元左右，三星实际给出的指引则达到 133 兆韩元。这意味着，无论收入还是利润，三星都显著高于市场此前的基准判断。

如果从历史维度看，这次业绩突破的意义更大。三星本次一季度营业利润不仅接近此前单季纪录的近三倍，也已经高于公司 2025 年全年约 43.6 兆韩元的营业利润水平，属于韩国企业史上极少见的单季盈利爆发。韩国本土媒体表示，三星本季度的利润表现“创下历史记录”。

高端内存产品成核心利润支柱

驱动这一轮业绩爆发的核心，不是传统消费电子，而是 AI 基础设施带来的内存超级周期。

进入 2026 年，AI 数据中心建设加速，推高了对 DRAM、HBM 等关键内存产品的需求，同时全球供给依然偏紧，导致芯片价格持续走高。三星在最新业绩中显然已充分受益于这一轮价格与需求共振。具体而言，三星芯片业务贡献了约 95% 的整体营业利润，显示这轮盈利修复几乎完全由半导体板块拉动。

与此同时，价格端的景气度仍在延续。TrendForce 在 3 月底发布的最新预测显示，受 AI 服务器需求持续旺盛、内存厂商进一步向高利润服务器产品倾斜产能影响，2026 年第二季度传统 DRAM 合约价预计将再上涨约 58% 至 63%，而 NAND Flash 合约价涨幅预计更高，达到 70% 至 75%。这意味着，三星二季度仍有望继续受益于价格中枢上行。

从行业竞争格局看，三星此前在 AI 内存赛道一度落后于 SK 海力士，但过去一年已明显加快追赶。截至 4 月，三星在 HBM 领域已取得显著进展，尤其是在新一代 HBM4 产品上缩小了与 SK 海力士和美光的差距。

韩国宏观数据同样为这一轮景气提供了外部验证。韩国 3 月半导体出口额同比飙升 151.4% 至 328.3 亿美元，创历史新高，成为带动韩国整体出口大幅增长的核心引擎。由于韩国半导体出口通常被视为全球科技需求的重要风向标，这一数据也表明，AI 驱动下的芯片上行周期已不只是公司层面的个案，而是整个产业链的系统性扩张。

市场看好三星全年盈利前景

财报公布后，市场已经开始上调对三星全年盈利的预期。部分机构已将三星全年盈利预期上修至 50 兆韩元以上 的季度水平；而包括花旗在内的部分券商，更将 2026 年全年营业利润预测抬升至 310 兆韩元左右。虽然这一数字仍属于卖方预测而非公司指引，但它反映出市场正在用“超级周期”而不是“短期反弹”来重新定价三星。

ETO Markets 认为，三星一季度业绩大幅超预期，核心并不只是单季价格上涨带来的利润释放，更重要的是，AI 基础设施扩张正在把内存行业重新推回“量价齐升”的景气区间。对市场而言，这份财报的意义在于，再次验证了 AI 资本开支链条并未降温，HBM、服务器 DRAM 及相关高端存储产品仍处于供给偏紧、盈利弹性突出的阶段。

不过，后续股价能否持续走强，关键仍取决于三个变量：一是 DRAM 与 NAND 价格上涨能否延续至下半年；二是三星在 HBM4 等高端产品上的客户认证与份额修复进度；三是全球 AI 数据中心资本开支是否继续维持高强度。整体来看，短期市场更容易继续交易“业绩超预期 + 周期上修”，中期则需要观察这一轮内存超级周期能否从价格驱动进一步走向结构性升级。